等離子清洗機在半導體晶圓清洗工藝上的使用
跟著半導體技能的不斷發展,對工藝技能的要求越來越高,特別是對半導體圓片的外表質量要求越來越嚴,其首要原因是圓片外表的顆粒和金屬雜質沾污會嚴峻影響器材的質量和成品率,在目前的集成電路生產中,因為圓片外表沾污問題,仍有50% 以上的材料被損失掉。
在半導體生產工藝中,簡直每道工序中都需求進行清洗,圓片清洗質量的好壞對器材功能有嚴峻的影響。正是因為圓片清洗是半導體制作工藝中重要、頻頻的工步,而且其工藝質量將直接影響到器材的成品率、功能和可靠性,所以國內外各大公司、研究機構等對清洗工藝的研究一直在不斷地進行。等離子體清洗作為一種先進的干式清洗技能，具有綠色環保等特色，跟著微電子職業的敏捷發展，等離子清洗機也在半導體職業的使用越來越多。
半導體的污染雜質和分類
半導體制作中需求一些有機物和無機物參加完結,另外,因為工藝總是在凈化室中由人的參加進行,所以半導體圓片不可避免的被各種雜質污染。依據污染物的來歷、性質等,大致可分為顆粒、有機物、金屬離子和氧化物四大類。
1.1 顆粒
顆粒首要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質等。這類污染物通常首要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片外表,影響器材光刻工序的幾何圖形的構成及電學參數。這類污染物的去除辦法首要以物理或化學的辦法對顆粒進行底切,逐漸減小其與圓片外表的觸摸面積,zui終將其去除。
1.2 有機物
有機物雜質的來歷比較廣泛,如人的皮膚油脂、細菌、機械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類污染物通常在圓片外表構成有機物薄膜阻止清洗液到達圓片外表,導致圓片外表清洗不徹底,使得金屬雜質等污染物在清洗之后仍完好的保留在圓片外表。這類污染物的去除常常在清洗工序的首先進行,首要使用硫酸和雙氧水等辦法進行。
1.3 金屬
半導體工藝中常見的金屬雜質有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質的來歷首要有:各種器皿、管道、化學試劑,以及半導體圓片加工過程中,在構成金屬互連的一起,也產生了各種金屬污染。這類雜質的去除常采用化學辦法進行,經過各種試劑和化學藥品配制的清洗液與金屬離子反響,構成金屬離子的絡合物,脫離圓片外表。
1.4 氧化物
半導體圓片暴露在含氧氣及水的環境下外表會構成天然氧化層。這層氧化薄膜不但會阻礙半導體制作的許多工步,還包含了某些金屬雜質,在必定條件下,它們會轉移到圓片中構成電學缺點。這層氧化薄膜的去除常采用稀氫氟酸浸泡完結。
等離子清洗機在半導體晶圓清洗工藝上的使用
等離子體清洗具有工藝簡略、操作便利、沒有廢料處理和環境污染等問題。但它不能去除碳和其它非揮發性金屬或金屬氧化物雜質。等離子清洗常用于光刻膠的去除工藝中,在等離子體反響體系中通入少數的氧氣,在強電場作用下,使氧氣產生等離子體,敏捷使光刻膠氧化成為可揮發性氣體狀況物質被抽走。這種清洗技能在去膠工藝中具有操作便利、效率高、外表干凈、無劃傷、有利于確保產品的質量等優點,而且它不必酸、堿及有機溶劑等,因此越來越受到人們重視。
