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等離子清洗原理和影響清洗效果的主要因素

發布日期:2020-06-10 00:00 來源:http://www.historianr.com 點擊:

等離子清洗原理和影響清洗效果的首要要素
1.原理及完成方法
等離子清洗是依托特定物質等離子體中的高能粒子流沖擊需要清潔的物體外表,發生物理沖擊(如氬等離子體)或化學反響(氧等離子體)來完成去除物體外表污漬的功能。目前,大多數等離子清洗體系通過降低反響倉的壓力到100 Pa 以下,然后以一定的速度通入適宜的氣體并發動電源來取得等離子體。
2.影響清洗效果的首要要素
2.1電極對等離子清洗效果影響
電極的規劃對等離子清洗效果有著明顯的影響,首要包括電極的資料、布局和尺度等要素。關于內電極等離子清洗體系,因為電極暴露在等離子體中,某些資料的電極會被一些等離子體刻蝕或發作濺射現象,形成不必要的污染并導致電極尺度的變動,從而影響等離子清洗體系的穩定性。電極的布局對等離子清洗的速度和均勻性有較大影響,較小的電極距離可以將等離子體約束在狹小的區域從而取得較高密度的等離子體,完成較快速度的清洗。跟著距離的添加清洗速度逐漸下降但均勻性逐漸增強。
電極的尺度一般決議了等離子體系的整體容量,在電極平行分布的等離子清洗體系中,電極一般作為托盤運用,較大尺度的電極可以一次清洗更多的元器件,進步設備的運行功率。

2.2作業壓強對等離子清洗效果的影響
作業壓強是等離子清洗的重要參數之一,壓強的進步意味著等離子體密度的添加和粒子均勻能量的降低,對化學反響為主導的等離子體,密度的添加能明顯進步等離子體系的清洗速度,而物理炮擊主導的等離子清洗體系則效果并不明顯。此外,壓強的改變可能會引起等離子體清洗反響機理的變化。如硅片刻蝕工藝所選用的CF4/O2等離子體,當壓強較低時離子炮擊起主導效果,而跟著壓強的添加,化學刻蝕不斷加強并逐漸占有主導效果。

2.3 電源功率及頻率對等離子清洗效果的影響
電源的功率對等離子體各參數都有影響,比如電極的溫度、等離子體發生的自偏壓以及清洗功率等。跟著輸出功率的添加,等離子清洗速度逐漸加強,并逐漸穩定在一個峰值,而自偏壓則跟著輸出功率的添加不斷上升。因為功率規?;痉€定,頻率是影響等離子體自偏壓的關鍵參數,跟著頻率的添加自偏壓逐漸下降。此外,跟著頻率的添加等離子體中電子的密度也會逐漸添加,而粒子均勻能量逐漸下降。

2.4作業氣體的挑選對等離子清洗效果的影響
工藝氣體的挑選是等離子清洗工藝規劃的關鍵步驟,盡管很多時分大多數氣體或氣體混合物都能對污染物起到去除效果,但清洗速度卻能相差幾倍甚至幾十倍。如在氧氣(O2)中參加不同比例的氟化硫(SF6)作為工藝氣體來清洗有機玻璃,其成果如圖1,從圖中可見合理挑選工藝氣體能大幅進步清洗速度。
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